Produto destacado: Quecemento por láser para recocido de obleas de semicondutores

O recocido de obleas é un proceso fundamental na fabricación de semicondutores, que abrangue a activación do dopante, a restauración da rede e a formación de unións ultrasuperficiais (USJ). O recocido convencional en forno e o procesamento térmico rápido (RTP) sofren de altos orzamentos térmicos, difusión do dopante mal controlada e uniformidade insuficiente, o que os fai inadecuados para nodos de tecnoloxía avanzada a 7 nm, 5 nm e máis, especialmente para arquitecturas Gate-All-Around (GAA) e memoria flash NAND 3D. O recocido de obleas baseado en láser, coa súa irradiación transitoria de alta enerxía, precisión espacial a escala de micras e mínima difusión térmica, xurdiu como o proceso central da próxima xeración para cumprir estes esixentes requisitos de fabricación.

Principio básico do quecemento por láser

O cabezal de quecemento láser Wave Optics presenta un deseño óptico patentado que proporciona feixes láser de alta enerxía e termicamente uniformes para a irradiación precisa das superficies das obleas. O láser verde ofrece unha excelente coincidencia de absorción cos materiais a base de silicio (incluído o SiC), o que permite un tratamento térmico de alta eficiencia sen danar a oblea. Isto facilita a recristalización da capa danada implantada por ións e unha activación eficiente do dopante. Posteriormente, a alta condutividade térmica do substrato permite un arrefriamento ultrarrápido, que conxela a estrutura da rede e suprime a difusión do dopante. Este proceso produce con éxito unións ultrasuperficiais con alta eficiencia de activación e un perfil de unión pronunciado (abrupto).

O recocido por quecemento por láser é fundamental para mellorar o rendemento do procesamento de obleas

1. Uniformidade do feixe: A uniformidade enerxética do punto do feixe de punta plana supera o 95 % (típico), o que elimina a sobrefusión ou o recocido insuficiente local.
2. Estabilidade enerxética: A flutuación continua da enerxía de saída é inferior ao 2 %, o que garante unha excelente consistencia entre obleas e entre lotes.
3. Precisión da figura superficial: os compoñentes ópticos presentan valores PV/RMS a escala nanométrica cunha distorsión da fronte de onda ben controlada, o que evita danos por puntos quentes.
4. Profundidade de foco e conformación do feixe: a profundidade de foco personalizable combinada coa homoxeneización do integrador de feixe permite a dixitalización de campo completo de obleas de gran diámetro.
5. Correspondencia de lonxitudes de onda: optimizada para bandas de onda de alta absorción de silicio e semicondutores de terceira xeración (por exemplo, SiC, GaN) para maximizar a eficiencia do uso de enerxía.

Tres vantaxes clave sobre o recocido convencional

1. Excelente supresión da difusión do dopante: a exposición térmica está limitada ao rango de nanosegundos a milisegundos cunha difusión do dopante case nula, unha capacidade inalcanzable mediante recocido en forno ou RTP.

2. Baixo orzamento térmico e danos mínimos no dispositivo: só a superficie da oblea experimenta altas temperaturas transitorias, o que resulta en que non se produza deformación térmica do substrato nin das estruturas do dispositivo e ningunha degradación interfacial.

3. Recocido de área selectiva de precisión: os puntos de feixe a escala micrónica sintonizables admiten o recocido localizado para a integración 3D e dispositivos integrados heteroxéneos.

Escenarios de aplicación

As aplicacións inclúen a activación de fonte/dreno, a reparación de canles e o recocido de contacto óhmico para lóxica avanzada (GAA/CFET), DRAM/3D NAND, dispositivos de alimentación SiC/GaN, SOI e dispositivos micro/nano. O recocido láser ofrece melloras simultáneas no rendemento e no rendemento do dispositivo.

O recocido láser cambia o procesamento de obleas do recocido global (de manta) ao recocido local de precisión. A súa potente tecnoloxía óptica permite os avances continuos en escalado e rendemento dos nodos semicondutores avanzados.

Folla de especificacións do produto